シリコン基板上のエピタキシャル成長を用いた窒化物超伝導量子ビットの開発NICTと産総研、名大が世界で初めて成功

摘要

情報通信研究機構(NICT)は、産業技術総合研究所(産総研)、名古屋大学と共同で、超伝導材料にアルミニウムを使用しない超伝導量子ピットとして、シリコン基板上のエピタキシャル成長を用な、た窒化物超伝導量子ビットの開発に世界で初めて成功した。この量子ビットは、超伝導体として超伝導転移温度が16K(マイナス257度)の窒化ニオブ(NbN)を電極材料とし、ジョセフソン接合の絶縁層に窒化アルミニウム(A1N)を使用しェピタキシャル成長させた全窒化物の素子で、ノイズ源である非晶質の酸化物を一切含まない新しい超伝導材料から成る新型量子ビットとなる。