公开/公告号CN110556454B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-08-03
原文格式PDF
申请/专利权人 上海新微技术研发中心有限公司;
申请/专利号CN201810554882.4
发明设计人 王玮竹;
申请日2018-06-01
分类号H01L33/00(20100101);H01L33/32(20100101);
代理机构11535 北京知元同创知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人刘元霞
地址 201800 上海市嘉定区城北路235号3号楼
入库时间 2022-08-23 12:14:36
机译: 通过在衬底上外延生长来制造氮化物单晶的方法,该方法防止衬底边缘上的生长
机译: 通过在衬底上外延生长以使晶体不在衬底的边缘上生长来制造氮化物单晶的方法
机译: 通过在衬底上外延生长以使晶体不在衬底的边缘上生长来制造氮化物单晶的方法