在硅基衬底上生长的氮化物外延结构及其生长方法

摘要

本申请提供一种在硅基衬底上生长的氮化物外延结构及其生长方法，该方法包括：在硅基衬底表面生长氮化物成核层；在所述氮化物成核层表面生长氮化物缓冲层；以及在所述氮化物缓冲层的表面依次生长预定数量的由氮化物插入层和氮化物缓冲层构成的叠层，所述载气是包含至少两种气体的混合气体，在生长所述氮化物成核层和/或所述氮化物插入层的步骤中，调整所述载气中各气体的组分比例，以控制在所述成核层和/或氮化物插入层表面生成氮化物缓冲层的步骤中在所述氮化物缓冲层中产生的压应力。根据该申请，能够得到厚度较厚且晶体质量较高的氮化物外延结构。