首页> 外文期刊>电波新闻 >パワー半導体「SiC-MOSFET」三菱が高精度回路シミュレーション技術
【24h】

パワー半導体「SiC-MOSFET」三菱が高精度回路シミュレーション技術

机译:功率半导体“SiC-MOSFET”三菱高精度电路仿真技术

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
       

摘要

近年、電力損失を大幅に低減できるSiCパワー半導体への期待が高まっている。産業機器や鉄道車両など様々なインバータシステムに採用され、低消費電力化と小型·軽量化に貢献するとともに、瑷境負荷の低減につながっている。
机译:近年来,能够显着降低功率损失的SIC功率半导体的期望正在增加。它由工业设备和铁路车辆等各种逆变器系统采用,有助于低功耗,体积小,减轻重量,并导致减少负担。

著录项

  • 来源
    《电波新闻》 |2020年第17994期|10-10|共1页
  • 作者

  • 作者单位
  • 收录信息
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 jpn
  • 中图分类
  • 关键词

  • 入库时间 2022-08-18 23:04:50

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号