パヮ一半導体「SiC-MOSFET」の高精度回路シミュレーション技術を開発

摘要

三菱電機㈱は，パワー半導体「SiC-MOSFET~(*1)1200 V-Nシリーズ~(※2)」が搭載されるパワーエレクトロニクス機器設計時の回路シミュレーション技術として，高精度SPICE(スパイス）~(※3)モデルを開発した。独自の実験手法による詳細な評価デー夕をモデルに反映することで，業界最高精度~(※4)で半導体素子の高速スイツチング動作のシミユレーシヨンが可能になり，パワーエレクト口ニクス機器の回路設計の効率化に貢献する。