多级降栅压型SiC-MOSFET驱动电路

摘要

本发明公开了一种多级降栅压型SiC‑MOSFET驱动电路，包括短路检测电路、关断逻辑控制电路、图腾柱电路、第一级降栅压电路与第二降栅压软关断电路；短路检测电路判断短路峰值电流检测短路故障真实发生，第一级降栅压电路将SiC‑MOSFET门极电压降低并维持至最大短路耐受时间，提高器件的短路穿越能力；通过第二级降栅压电路进一步降低门极电压实现软关断，从而抑制住关断电压尖峰。本发明保证SiC‑MOSFET在短路工况下安全关断并有效增加其短路耐受时间，提高故障穿越能力。