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机译:在热栅氧化物附近存在碳簇的证据影响了SiC-MOSFET中的电子能带结构
Paul Scherrer Inst Lab Micro & Nanotechnol CH-5232 Villigen Switzerland;
Univ Basel Dept Phys CH-4056 Basel Switzerland;
ABB Switzerland Ltd Corp Res CH-5405 Baden Switzerland;
Cornell Univ Lab Atom & Solid State Phys Ithaca NY 14853 USA;
ABB Switzerland Ltd Corp Res CH-5405 Baden Switzerland|Robert Bosch GmbH Automot Elect D-72762 Reutlingen Germany;
机译:光电热退火后氧化石墨烯的价带电子结构演化
机译:新型准一维晶体的电子能带结构:Zr8C12和Nb8C12聚集在单壁碳,硅,BN和GaN纳米管内
机译:LSDA + U法研究d波段部分填充的金红石型金属氧化物的电子结构。
机译:薄栅极氧化物电介质的超低热预算快速热处理:低温处理的Si / SiO_2结构中的亚氧化物过渡区减少900℃30秒快速热处理
机译:过渡金属簇和过渡金属氧化物簇的电子结构的光电子能谱研究。
机译:热还原对氧化石墨烯的光致发光和电子结构的影响
机译:光电子热退火氧化石墨烯的价带电子结构演化
机译:苯与分子氮,二氧化碳和一氧化碳聚集:能级,振动结构和成核