蘭NXP2.45GHz時にマグネトロンをしのぐ高効率RFエネルギー向けRFパワー•トランジスタ

摘要

オランダのNXPセミコンダクターズは、GaN-On-SiCを使用した初のRFエネルギー向けRFパヮー•トランジスタの新製品「MRF24G300HS」を発表した。同製品はGaNの高効率を利用し、SiCの高い熱伝導性によりCW動作を実現しながら、2.45GHz時に多くのマグネトロンを超える高効率を提供する。2.45GHzマグネトロンは50年以上にわたり、電子レンジから高出力溶接機に至るまでのコンシューマ/産業アプリケーションで広く使用されてきた。