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机译:高能快速重离子辐照和退火对200?GHz SiGe HBT直流电特性的影响
机译:电子,质子和伽玛射线辐照对200 GHz SiGe HBT I-V特性的影响比较
机译:X射线和质子辐射对200 GHz / 90 GHz互补$(npn + pnp)$ SiGe:C HBT技术的影响
机译:75 MeV硼和50meV锂离子辐照效应对200GHz SiGe HBT的比较
机译:SiGe HBT的功率衍生热表征和使用锁相环的定时电路设计。
机译:SiGe HBT局部应力过程中Au / Pt / Ti-Si3N4界面缺陷和反应的STEM纳米分析
机译:80 MeV碳离子辐照效应高级200 GHz硅 - 锗异质结双极晶体管