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VOLTAGE CONTRAST STUDIES ON 0.5 μm INTEGRATED CIRCUITS BY SCANNING FORCE MICROSCOPY

机译:扫描电镜对0.5μm集成电路电压对比的研究

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摘要

A scanning force microscope (SFM) test system is used for voltage contrast studies on 0.5 μm integrated circuits. Waveform measurements are performed on passivated 0.5 μm conducting lines up to 4 GHz. Additionally two-dimensional measurements at 10 MHz demonstrate the potential for device internal function and failure analysis in the sub-μm regime by direct correlation between voltage contrast and quantitative topography images.
机译:扫描力显微镜(SFM)测试系统用于在0.5μm集成电路上进行电压对比研究。波形测量是在高达4 GHz的钝化0.5μm导线上执行的。此外,在10 MHz处的二维测量通过电压对比和定量形貌图像之间的直接相关性,证明了在亚微米范围内进行设备内部功能和故障分析的潜力。

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