机译:接近和低于0.1 / spl mu / m的集成技术挑战
机译:使用0.1 / spl mu / m InAlAs / InGaAs变质HEMT技术的W波段三分频器
机译:采用两步嵌入式栅极技术的高性能0.1- / splμ/ m栅极增强模式InAlAs / InGaAs HEMT
机译:适用于0.1- / spl mu / m PMOSFET的十硼烷(B / sub 10 / H / sub 14 /)离子注入技术
机译:以0.35 / spl mu / m的铜金属间距,0.1 / spl mu / m的栅极长度进行模拟集成,低功耗数字CMOS技术
机译:新兴技术大规模集成的挑战与解决方案
机译:将触觉反馈技术整合到基于家庭的Telerehilition:鉴于Covid-19大流行的机会和挑战
机译:适用于0.1微米以下CMOS技术的高级栅极叠层