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郭士东;
东北微电子研究所;
沈阳;
110032;
按比例缩小; 短沟道效应; 热载流子效应; 阈值电压;
机译:接近和低于0.1 / spl mu / m的集成技术挑战
机译:可调谐橄榄色Ni0.8CO0.1MN0.1MN0.1MN0.1MN0.1MN0.1MN0.1MN0.1MN0.1MN0.1MN0.1MN0.1MN0.101MO1010.1MO1锂离子电池的转化水热合成及其转化
机译:沟道长度低于0.1 / splμ/ m的垂直MOS技术
机译:使用大角度倾斜注入的用于漏极工程的高性能低于0.1 / spl mu / m的SOI多晶硅隔离栅MOSFET
机译:低于100nm CMOS和低于70nm完全自对准双栅极CMOS的钨/硅锗/硅凸起单源/漏极的设计,制造和表征
机译:用于神经科学和基于细胞的生物传感器的多电极阵列中的CMOS集成电路技术的商业化
机译:硅蚀刻探针,用于3-D坐标测量,不确定度低于0.1μm
机译:结合和匹配光学,电子束和X射线光刻在制造具有0.1和低于0.1微米特征的si互补金属氧化物半导体电路中
机译:低于2mmo1%高于0.1mmol%含有磺酸
机译:止汗组合物,外相25%,有机硅0.1%,硅氧烷共聚多元醇,0.15%,挥发性有机硅,0.1-68%,表面活性剂,0.10%,0.1-68%,非挥发性有机硅,0-5%,内相的30-75%,外相25 -25%,0至10%的乙醇,水,0-5%的abtimicrobiano和0-5%的盐。
机译:耐磨钢,以0.1-1.0%Cu,0.1-2.0%的含量(质量百分比)C,0.05-0.35%C,0.05-0.1-1.0%,2.0%Mn,0.1-1.2%,0.1%以下ni,0.1-1.0%Cr,0.05至1.0%Mo,0.05至1.0%W,0
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