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【24h】

Samsung Develops First 12-Layer 3D-TSV Chip Packaging Technology

机译:三星开发首款12层3D-TSV芯片封装技术

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摘要

SEOUL - Samsung Electronics in October announced it has developed the industry's first 12-layer 3D-TSV (through-silicon via) technology. The innovation, which is used for mass production of high-performance chips, requires pinpoint accuracy to vertically interconnect 12 DRAM chips through a three-dimensional configuration of more than 60,000 TSV holes, each of which is one-twentieth the thickness of a single strand of human hair.
机译:首尔-三星电子在10月宣布已开发出业界首个12层3D-TSV(硅直通)技术。这项用于大规模生产高性能芯片的创新需要精确的精度,以通过超过60,000个TSV孔的三维结构垂直互连12个DRAM芯片,每个孔的厚度是单条线厚度的二十分之一。人发。

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  • 来源
    《Printed Circuit Design & Manufacture》 |2019年第12期|10-10|共1页
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  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
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  • 入库时间 2022-08-18 04:50:38

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