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レーザー励起テラへルツ放射イメージングを利用したLSI故障解析

机译:使用激光太赫兹辐射成像的LSI故障分析

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摘要

本稿では,フェムト秒レーザー励起による半導体LSIからのTHz波放射を利用した故障箇所解析技術について紹介した.これまでの実験から,無バイアス状態のLSIチップをLTEMで観察することにより,断線やショート等の配線不良に加え,不純物拡散層の欠陥検出が行えることが明らかになった.本技術の実用化に向けて,検出技術の向上により微細なLSIチップの測定を行えるようにするとともに,実デバイスを用いた不良の検出実験を積み重ねていくことにより,検出可能な不良の種類を明らかにしていく必要がある.
机译:在本文中,我们介绍了一种故障定位分析技术,该技术使用飞秒激光器激发的半导体LSI产生的THz波辐射进行故障定位。明确了除了上述布线故障之外,还可以进行杂质扩散层的缺陷检测。有必要通过累积使用的缺陷检测实验来阐明可以检测到的缺陷的类型。

著录项

  • 来源
    《精密工学会誌》 |2016年第3期|225-229|共5页
  • 作者单位

    理化学研究所光量子工学研究領域テラヘルツイメージング研究チーム(宮城県仙台市青葉区荒卷字青葉519-1399);

    理化学研究所光量子工学研究領域テラヘルツイメージング研究チーム(宮城県仙台市青葉区荒卷字青葉519-1399);

    浜松ホトニクス(株)システム事業部第18部門(静岡県浜松市東区常光町812);

    トヨタ自動車(株)パワーエレクトロニクス開発部(愛知県豊田市西広瀬町桐ヶ洞543);

    大阪大学レーザーエネルギー学研究センターレーザーテラへルツ研究部門(大阪府吹田市山田丘2-6);

    大阪大学大学院情報科学研究科情報システム工学専攻(大阪府吹田市山田丘1-5);

    金沢工業大学大学院工学研究科高信頼ものづくり専攻(東京都港区愛宕1-3-4);

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