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机译:具有低硅含量的钛氮化硅薄膜通过反应性高功率脉冲溅射排放沉积
Graduate School of Engineering Nagoya Institute of Technology Nagoya Japan;
Graduate School of Engineering Nagoya Institute of Technology Nagoya Japan;
University of Hyogo Himeji Japan;
Silicon; Substrates; Discharges (electric); Sputtering; Ions; Mechanical factors; Amorphous magnetic materials;
机译:反应高功率脉冲溅射捏合铅碳纤维铅溅射铅缩小的制备
机译:反应大功率脉冲磁控溅射沉积在玻璃基板上沉积在玻璃基板上的钛氮化钛膜的性质
机译:反应溅射和等离子增强CVD低温沉积的氮化硅绝缘膜:特性比较
机译:Si含量对脉冲电子束处理的钛基溅射沉积的含硅钙 - 磷酸钙基膜的结构和力学特征的影响
机译:射频反应磁控溅射在低温下沉积在硅上的压电氮化铝薄膜的声波器件特性
机译:低温下大功率脉冲磁控溅射在铀上沉积的TiN膜
机译:二甲基胺alane的金属化学气相沉积溅射氮化钛/硅衬底上沉积铝膜的结构特征