机译:脉冲等离子体引发的聚合物层化学气相沉积(PiCVD)-描述脉冲等离子体放电中气相与表面相互作用的动力学模型
Luxembourg Inst Sci & Technol, Mat Res & Technol, 5 Ave Hauts Fourneaux, L-4362 Esch Sur Alzette, Luxembourg;
Luxembourg Inst Sci & Technol, Mat Res & Technol, 5 Ave Hauts Fourneaux, L-4362 Esch Sur Alzette, Luxembourg;
Luxembourg Inst Sci & Technol, Mat Res & Technol, 5 Ave Hauts Fourneaux, L-4362 Esch Sur Alzette, Luxembourg;
Luxembourg Inst Sci & Technol, Mat Res & Technol, 5 Ave Hauts Fourneaux, L-4362 Esch Sur Alzette, Luxembourg;
atmospheric-plasma CVD; conventional polymerization; kinetic model; polymerization mechanisms; pulsed plasma;
机译:接近大气压的脉冲等离子化学气相沉积过程中绝缘基板上图案化导电层上的放电不稳定性
机译:接近大气压的脉冲等离子化学气相沉积过程中绝缘基板上图案化导电层上的放电不稳定性
机译:脉冲等离子体增强化学气相沉积系统的等离子体和气相表征,该系统设计用于氧化铝薄膜的自限生长
机译:由等离子体脉冲化学气相沉积(PICVD)产生的多层屏障涂层系统
机译:通过脉冲等离子体聚合控制化学和形态的表面改性:超疏水表面的合成。
机译:脉冲等离子体化学气相沉积法制备纳米多孔非晶碳化硼薄膜的摩擦学和热稳定性研究
机译:脉冲等离子体引发了聚合物层的化学气相沉积(PICVD) - 用于对脉冲等离子体放电的表面相互作用的气相描述的动力学模型