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机译:HMDSO / O2在连续波和射频脉冲放电中沉积的薄膜的比较研究
Department of Physical Electronics Masaryk University KotlÁřskÁ 2 Brno 611 37 Czech Republic;
Laboratory of Plasma Physics and Plasma Sources Masaryk University KotlÁřskÁ 2 Brno 611 37 Czech Republic;
Laboratory of Plasma Physics and Plasma Sources Masaryk University KotlÁřskÁ 2 Brno 611 37 Czech Republic;
Institut des Materiaux Jean Rouxel CNRS-UniversitÉ de Nantes Nantes France;
Institut des Materiaux Jean Rouxel CNRS-UniversitÉ de Nantes Nantes France;
Institut des Materiaux Jean Rouxel CNRS-UniversitÉ de Nantes Nantes France;
Institute of Physics of Materials Academy of Sciences of the Czech Republic Žižkova 513/22 Brno 616 62 Czech Republic;
band gap; HMDSO; indentation; mechanical properties; plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD); silicon oxide;
机译:连续波和脉冲模式下离子轰击对O-2 / HMDSO电感耦合等离子体沉积SiO2薄膜结构和电性能的影响
机译:O-2 / HMDSO脉冲和连续等离子体中沉积的SiO2样膜的结构和力学性能的比较
机译:用于沉积金刚石薄膜的脉冲和连续微波放电的研究
机译:在连续波和脉冲模式下从HMDSO / O / sub 2 /等离子体中沉积SiO / sub x /膜
机译:太赫兹脉冲和连续波成像技术在医学领域的比较研究与分析。
机译:四(乙基甲基氨基)和四(二甲基氨基)前体在原子层沉积Hf0.5Zr0.5O2薄膜中铁电性能的比较研究
机译:在脉冲激光沉积和磁控溅射钛氧化物膜上形成的激光诱导周期表面结构的比较研究
机译:脉冲和连续波CO2激光器温度效应模型及响应面法优化。