射频离子辅助沉积对ITO薄膜光电性能的影响

摘要

为了制备光电性能高的氧化铟锡(I T O)薄膜,利用电子束和射频离子源辅助沉积技术,在玻璃基底上制备了ITO透明半导体薄膜,从ITO薄膜的半导体物理学理论出发,研究分析了未使用离子源辅助沉积ITO薄膜的光电性能,以及使用离子源辅助沉积之后,ITO薄膜厚度、离子源气体比例、离子源能量强度对ITO薄膜光学性能和电学性能的影响.最终以电压1200 V、氧气/氩气比例3:1的离子源工艺,制备了厚度为20 nm,电阻率为5.34×10-3Ω·cm,透过率为91.42％,光电性能良好的ITO透明导电膜.