氧分压对电子束蒸发ITO薄膜光电性能的影响

摘要

本研究中用电子束反应蒸发的方法制备ITO 薄膜，测试了膜的可见光透过率、电阻率，讨论氧分压对薄膜光电性能及结构的影响。并在衬底温度为160℃，氧分压为5×10-2Pa的条件下，制得可见光范围平均透过率良好，电阻率为6.3×10-4O.cm的ITO 透明导电薄膜。