机译:通过波长调制的吸收和低温光致发光测量的4H-SiC中的带结构性质,声子和Exciton精细结构
Department of Physics and Astronomy University of Pittsburgh 3941 O'Hara Street Pittsburgh Pennsylvania 15260 USA;
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机译:6H多晶型碳化硅中激子-声子吸收和双曲型激子的长波长边缘的精细结构
机译:新分辨的声子辅助转变和精细结构在6小时的低温波长调制吸收和光致发光光谱中
机译:层状结构的Tl _2Ga _2S _3Se单晶的低温吸收边和光致发光
机译:新分辨的声子辅助过渡和精细结构在低温波长调制吸收和光致发光光谱中为6H siC
机译:波长调制吸收光谱和低温光致发光研究4H SiC中自由激子的能级结构
机译:采光复合体频域中的非线性偏振光谱II:吸收带子结构和激子动力学。
机译:在4H-SiC衬底上生长的AlGaN / AlN / GaN高电子迁移率晶体管结构的时间分辨光致发光特性
机译:N-Free和N-Inped In(1-x)Ga(x)p的激子吸收,光致发光和能带结构。