...
机译:Sb_4在Ge(001)和Si(001)表面上的吸附:扫描隧道显微镜和第一性原理计算
Centro de Investigacion Cientifica y de Educacion Superior de Ensenada, Apartado Postal 2681, Ensenada, Baja California 22800, Mexico;
solid surfaces and solid-solid interfaces: structure and energetics; scanning tunneling microscopy (including chemistry induced with STM); methods of electronic structure calculations;
机译:扫描隧道显微镜中H_2或NH_3吸附的Si(001)表面隧道电流的第一性原理计算
机译:SrTiO_3(001)(2 X 1)重建:与扫描隧道显微镜图像相比,表面能和原子结构的第一性原理计算
机译:扫描隧道显微镜尖端与氢吸附Si(001)表面之间的隧道电流的第一性原理研究
机译:#beta#Sic(001)c(4x2)表面的组合从头算总能量密度函数计算和扫描隧道显微镜实验
机译:铁(001)/氧化镁(001)/铁(001)隧穿磁阻结构的原子能级表征和自旋极化扫描隧道显微镜。
机译:低温扫描隧道显微镜观察的Si(001)对称二聚体图像的起源
机译:SrTiO3(001)(2x1)重建:表面能和原子结构与扫描隧道显微镜图像相比的第一性原理计算
机译:用扫描隧道显微镜研究β-siC(001)和(111)表面