SiH在Si（001）面吸附的第一性原理研究

摘要

用基于密度泛函理论的第一性原理方法研究了SiH在Si（001）面的吸附，计算了SiH在6个高对称位置吸附后的优化结构、吸附能以及键长和键角的变化等．研究发现，在同一排的二聚体之间的吸附最稳定，二聚体上次之，相邻二聚体排之间的槽内最不稳定．