Ag在Si(001)-(2×1)表面化学吸附的第一性原理研究

张芳; 李伟; 危书义

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用紧束缚下的Muffin-tin轨道线性组合方法研究了0.5个单层Ag原子在Si(001)-(2×1)表面的化学吸附.计算了Ag原子在不同位置时吸附体系的能量.结果表明,Ag原子在cave位时吸附最稳定,在Ag/Si(001)界面不存在Ag-Si混合层,Ag/Si(001)界面为突变界面.同时对电子转移情况和层投影态密度进行了研究.

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来源
《河南师范大学学报：自然科学版》 |2011年第1期|94-97|共4页
作者
张芳; 李伟; 危书义;
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作者单位

平顶山学院电气信息工程学院;

河南城建学院数理系;

河南师范大学物理与信息工程学院;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类半导体性质;
关键词
化学吸附; 银; 硅; 低指数单晶面; 超级原胞;

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