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机译:MBE生长期间Si(111)-7x7上二维Si岛的多阶段成核:STM实验和扩展速率方程模型
Department of Physics, Tomsk State University, Tomsk 634050, Russia;
nucleation and growth: microscopic aspects; semiconductor surfaces; theory and models of film growth; molecular; atomic; ion; and chemical beam epitaxy;
机译:MBE生长过程中Si(111)-7×7上二维Si岛的多阶段成核:STM实验和扩展速率方程模型
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机译:一维同位外延点/扩展岛模型中成核和生长的自洽率方程方法
机译:对孤立的硅和锗团簇以及sil(111)-7x7表面上的硅团的理论研究。
机译:用于自然-SiOx / Si(111)底物的低温诱导孔形成用于自催化的GaAs纳米线的生长
机译:MBE生长期间Si(111)-7x7上二维Si岛的多阶段成核:STM实验和扩展速率方程模型
机译:扫描隧道显微镜研究si(111) - (7X7)上硅的低温外延生长。