Atomic structure model of the reconstructed Si(557) surface with a triple step structure: Adatom-parallel dimer model

D.-H. Oh; M. K. Kim; J. H. Nam; I. Song; C.-Y. Park; S. H. Woo; H.-N. Hwang; C. C. Hwang; J. R. Ahn

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【24h】

Atomic structure model of the reconstructed Si(557) surface with a triple step structure: Adatom-parallel dimer model

机译：具有三步结构的重构Si（557）表面的原子结构模型：原子平行二聚体模型

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We studied the atomic and electronic structures of the reconstructed Si(557) surface composed of one (111) facet and three (112) facets in its single unit cell by using first principles calculations, scanning tunneling microscopy, and angle-resolved photo

机译：我们通过使用第一性原理计算，扫描隧道显微镜和角度分辨照片研究了在其单个晶胞中由一个（111）面和三个（112）面组成的Si（557）重构表面的原子和电子结构。

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来源
《Physical review》 |2008年第15期|980-986|共7页
作者
D.-H. Oh; M. K. Kim; J. H. Nam; I. Song; C.-Y. Park; S. H. Woo; H.-N. Hwang; C. C. Hwang; J. R. Ahn;
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作者单位

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收录信息
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类
关键词
semiconductor surfaces; total energy and cohesive energy calculations; scanning tunneling microscopy (including chemistry induced with STM);

机译：半导体表面;总能量和内聚能计算;扫描隧道显微镜（包括用STM诱导的化学反应）;

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