机译:掺镁的p型GaN中光致发光的可调热猝灭
Department of Physics, Virginia Commonwealth University, Richmond, Virginia 23284, USA;
Department of Physics, Virginia Commonwealth University, Richmond, Virginia 23284, USA;
Paul-Drude-Institut fuer Festkoerperlektronik, Berlin 10117, Germany;
Paul-Drude-Institut fuer Festkoerperlektronik, Berlin 10117, Germany;
机译:退火对掺Mg的p型GaN InGaN / GaN多量子阱光致发光和微观结构的影响
机译:退火对掺Mg的p型GaN的InGaN / GaN多量子阱的光致发光和微观结构的影响
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机译:快速退火的Mg掺杂GaN薄膜的光致发光
机译:在电子耦合的pbs量子点阵列中,热激活的光致发光猝灭机理及其与传输的相关性。
机译:分析光致发光的热猝灭:氮化物的高效p型掺杂设计指南
机译:掺镁的p型GaN中光致发光的可调谐热猝灭