机译:可调静电场控制的两个横向隧道耦合(In,Ga)As / GaAs量子点的量子发光
5. Physikalisches Institut, Universitaet Stuttgart, Pfaffenwaldring 57, 70569 Stuttgart, Germany;
quantum dots; quantum dots; Ⅲ-Ⅴ semiconductors;
机译:隧道耦合量子阱自旋注入InGaAs量子点的自旋极性的电场控制
机译:旋转注射中的旋转极性的电场控制从隧道耦合量子阱中的InGaAs量子点
机译:红外光通过两个横向隧道耦合InGaAs / GaAs量子点的传播和存储
机译:隧道耦合量子阱自旋输运性质到InGaAs量子点的电场控制
机译:在2-D电场下探索InAs / GaAs量子点和量子点分子中的单孔状态
机译:通过使用混合量子阱/量子点结构的具有290nm发射带宽的基于GaAs的超发光发光二极管
机译:在零磁场的GaAs量子点中的电调谐动态核自旋极化