机译:半导体中缺陷性质的合金工程:过渡金属双硫属元素化物中深能级的抑制
Oak Ridge Natl Lab, Ctr Nanophase Mat Sci, Oak Ridge, TN 37831 USA.;
Oak Ridge Natl Lab, Ctr Nanophase Mat Sci, Oak Ridge, TN 37831 USA.;
Oak Ridge Natl Lab, Comp Sci & Math Div, Oak Ridge, TN 37831 USA.;
Natl Renewable Energy Lab, Golden, CO 80401 USA.;
Univ Utah, Dept Mat Sci & Engn, Salt Lake City, UT 84112 USA.;
机译:二维过渡金属二硫化氢半导体中合金化诱导的拓扑转变
机译:用于电化学应用的过渡金属二甲基甲基甲基化物中缺损工程
机译:缺陷介导的单层过渡金属二甲基甲基化物的合金化
机译:通过系统的从头算计算研究单层过渡金属二卤化二锡(TMD)TFET中的W空位缺陷
机译:高级III族氮化物半导体中的深度缺陷:质子辐照的存在,性质和影响
机译:分子束外延在低温下生长的n型GaAsBi合金的深层缺陷及其对光学性能的影响
机译:半导体中缺陷性能的合金工程:过渡金属二甲基甲基化物中深层水平的抑制
机译:压力作为半导体中深层和缺陷的探针:Gaas,Gap及其合金