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机译:本征氢封端的单晶CVD金刚石的电化学表征
Diamond Research Center, AIST, Tsukuba 305-8568, Japan;
semiconductor-electrolyte contacts; surface structure; reactivity and catalysis; semiconductor materials in electrochemistry;
机译:H端未掺杂单晶CVD金刚石上胺层的光化学附着
机译:H端未掺杂单晶CVD金刚石上的胺层生长和电子性能
机译:在H端单晶CVD金刚石上形成光化学胺层
机译:金刚石-溶液界面:氢接触的纳米晶CVD金刚石的表面能,可通过接触角测量得出
机译:氢和氧封端的硼掺杂金刚石薄膜电极的抗坏血酸的电化学氧化和检测。
机译:铱膜与氢封端的单晶金刚石之间的欧姆接触
机译:多晶硅和单晶CVD金刚石至800meV和24 GEV质子的辐射耐受性研究