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机译:利用MOCVD研究在Si衬底上生长具有高功率工作FET的高质量AlGaN / GaN异质结构的缓冲结构
Yokohama R & D Laboratories, The Furukawa Electric Co., Ltd. 2-4-3 Okano, Nishi-ku, Yokohama, 220-0073 Japan;
Ⅲ-Ⅴ semiconductor-to-semiconductor contacts, p-n junctions, and heterojunctions; semiconductor-electrolyte contacts; Ⅲ-Ⅴ semiconductors; chemical vapor deposition (including plasma-enhanced CVD, MOCVD, etc.); field effect devices;
机译:在4英寸Si衬底上进行GaN膜和AlGaN / GaN异质结构的MOCVD生长
机译:在4英寸Si衬底上进行GaN膜和AlGaN / GaN异质结构的MOCVD生长
机译:在4英寸Si衬底上进行GaN膜和AlGaN / GaN异质结构的MOCVD生长
机译:不同生长条件的GaN缓冲层的AlGaN / GaN异质结构的带隙态研究
机译:研究常关模式的AlGaN / GaN MOS HEMT器件,该器件利用栅极后退和p-GaN栅极结构以及带有醛生长的高k栅极绝缘体来实现高功率应用。
机译:使用不同缓冲层配置的200mm硅(111)衬底上的AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管结构研究
机译:硅衬底上用于AlGaN / GaN HEMT的缓冲结构的生长
机译:m面alGaN / GaN和alInN / GaN异质结构的外延生长适用于常驻型GaN基板上的常关模式高功率场效应晶体管