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机译:高效节能宽带隙半导体功率器件的挑战
Consiglio Nazionale delle Ricerche, Istituto per la Microelettronica e Microsistemi (CNR-IMM), Strada Ⅷ n. 5, Zona Industriale, 95121 Catania, Italy;
Consiglio Nazionale delle Ricerche, Istituto per la Microelettronica e Microsistemi (CNR-IMM), Strada Ⅷ n. 5, Zona Industriale, 95121 Catania, Italy;
Consiglio Nazionale delle Ricerche, Istituto per la Microelettronica e Microsistemi (CNR-IMM), Strada Ⅷ n. 5, Zona Industriale, 95121 Catania, Italy;
Consiglio Nazionale delle Ricerche, Istituto per la Microelettronica e Microsistemi (CNR-IMM), Strada Ⅷ n. 5, Zona Industriale, 95121 Catania, Italy;
Consiglio Nazionale delle Ricerche, Istituto per la Microelettronica e Microsistemi (CNR-IMM), Strada Ⅷ n. 5, Zona Industriale, 95121 Catania, Italy;
STMicroelectronics, Stradale Primosole 50, 95121 Catania, Italy;
STMicroelectronics, Stradale Primosole 50, 95121 Catania, Italy;
energy efficiency; GaN; HEMT; 4H-SiC; MOSFET;
机译:下一代节能电力电子宽带隙半导体技术
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