机译:AlN成核层对Si衬底上AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管结构的垂直击穿电压变化的影响
Taiyo Nippon Sanso Corporation, 10 Ohkubo, Tsukuba, Ibaraki, Japan,Nagoya Institute of Technology, Gokiso-Cho, Nagoya, Aichi, Japan;
Nagoya Institute of Technology, Gokiso-Cho, Nagoya, Aichi, Japan;
Taiyo Nippon Sanso Corporation, 10 Ohkubo, Tsukuba, Ibaraki, Japan;
Taiyo Nippon Sanso Corporation, 10 Ohkubo, Tsukuba, Ibaraki, Japan;
Taiyo Nippon Sanso Corporation, 10 Ohkubo, Tsukuba, Ibaraki, Japan;
Taiyo Nippon Sanso Corporation, 10 Ohkubo, Tsukuba, Ibaraki, Japan;
Nagoya Institute of Technology, Gokiso-Cho, Nagoya, Aichi, Japan;
AlGaN; AlN; GaN; high electron mobility transistors; nucleation layers; silicon;
机译:N面GaN / AlN / GaN / InAlN和GaN / AlN / AlGaN / GaN / InAlN高电子迁移率晶体管结构,通过等离子体辅助分子束外延在邻近衬底上生长
机译:通过直径为4英寸的硅上的AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管中的AlN缓冲层厚度来提高击穿电压
机译:在4英寸硅衬底上具有高击穿特性的AlN / AlGaN / GaN金属绝缘体半导体高电子迁移率晶体管
机译:Si上初始AlN成核层顶部的AlGaN缓冲层的Al含量与AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管结构的垂直泄漏电流之间的关系
机译:在AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管上进行等离子增强化学气相沉积的氮化硅钝化的热稳定性。
机译:AlN /蓝宝石模板上的薄沟道AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管中的高横向击穿电压
机译:alN成核层诱导应变对si(111)衬底上alGaN / GaN异质结电性能的影响