机译:高击穿电压的AlGaN / GaN MIS-HFET具有低泄漏电流
Corporate R&D Center, Toshiba Corp., 1, Komukai-Toshiba-cho, Saiwai-ku, Kawasaki, 212-8582, Japan;
metal-insulator-semiconductor structures (including semiconductor-to-insulator); field effect devices;
机译:具有AlGaN杂质阻挡层的低漏电流和高击穿电压GaN-on-Si(111)系统
机译:具有低泄漏电流和高击穿电压(825 V)的8 in。Si上的常关Al_2O_3 / AlGaN / GaN MOS-HEMT
机译:具有混合肖特基-欧姆漏的硅上的AlGaN / GaN HEMT,可实现高击穿电压和低漏电流
机译:工程PECVD SIN钝化层以使AlGaN / GaN Hemts能够低泄漏,低电流塌陷和高击穿电压
机译:为改善AlGaN / GaN MOS-HFET中的阈值电压稳定性和电流崩塌抑制而研究ALD介电材料的研究。
机译:使用AlGaN / GaN / AlGaN量子阱电子阻挡层的AlGaN / GaN HEMT中的高击穿电压
机译:栅极漏电流对alGaN / GaN HEmT的影响由低频噪声和脉冲电测量证明,栅极漏电流对alGaN / GaN HEmT的影响由脉冲I-V和低频噪声测量证明
机译:自对准aLD alOx T栅极绝缘体,用于siNx钝化alGaN / GaN HEmT中的栅极漏电流抑制