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机译:通过MOCVD生长的高电阻率GaN外延层中的深层
Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, P. O. Box 912, China;
Ⅲ-Ⅴ semiconductors; chemical vapor deposition (including plasma-enhanced CVD, MOCVD, etc.);
机译:成核层的形貌和外延层结构对MOCVD在c面蓝宝石上生长的GaN薄膜电阻率的影响
机译:与在蓝宝石衬底上生长的无意掺杂的n型GaN外延层的深能级相关的光学猝灭行为
机译:掺镁GaN生长MOCVD中深能级与持久光电导之间的相关性
机译:深度电阻率GaN的深度水平由MOCVD种植
机译:MBE和MOCVD制备的用于多结太阳能电池的氮化铟镓砷的深层瞬态光谱研究。
机译:以AlN / GaN超晶格为阻挡层的MOCVD法生长GaN HEMT中的2-DEG特性
机译:通过MOCVD生长的高电阻率GaN外延层中的深层