机译:改进的基于InP的双异质结双极晶体管
Department of Materials Science and Engineering, National Dong Hwa University, 1, Sec. 2, Da Hsueh Rd., Shou-Feng, Hualien 974, Taiwan, R.O.C.;
Ⅲ-Ⅴ semiconductors; chemical vapor deposition (including plasma-enhanced CVD, MOCVD, etc.); semiconductor-device characterization, design, and modeling; bipolar transistors;
机译:具有由GaAsSb接触层和InGaAsSb梯度层组成的混合基础结构的InP基双异质结双极晶体管的金属有机化学气相沉积的组成和掺杂控制
机译:集电极掺杂对基于InP的双异质结双极晶体管的影响
机译:电流传输机制及其对不同基础结构的InP基双异质结双极晶体管性能的影响
机译:InP基双异质结双极晶体管的发射极热分流对SiC衬底的影响
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:用于高效光伏转换的三端异质结双极晶体管太阳能电池
机译:异结双极晶体管:具有高电流扩增的2D基于材料的垂直双相杂交双极晶体管(ADV。电子。Matter。3/2019)
机译:In0.69al0.31as0.41sb0.59 / In0.27Ga0.73sb双异质结双极晶体管,带Inas0.66sb0.34接触层