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机译:多滑动船用混合源HVPE制备SAG-AlGaN / InGaN / AlGaN LED
Department of Applied Sciences, Korea Maritime University, Busan 606-791, Korea;
机译:用混合源HVPE生长的掺Te的AlGaN覆盖层的选择性区域生长来表征AlGaN / InGaN / AlGaN异质结构
机译:混合源HVPE对AlGaN的生长和掺杂以及SAG-InGaN / AlGaN异质结构的电致发光
机译:混合源HVPE在GaN模板化Al_2O_3(0001)和Si(111)衬底上生长InGaN层
机译:混合源HVPE在Al_2O_3衬底上生长AlGaN
机译:利用纳米技术在Si上生长,制造和表征基于InGaN / GaN的蓝色,绿色和黄色LED。
机译:ITO / Ga2O3 / Ag / Ga2O3透明导电电极的AlGaN基紫外LED的制备和表征
机译:通过将AlGaN势垒与GaN势垒交替来降低InGaN LED的效率下降
机译:用于LED的HVpE InGaN - 现有技术和视野。