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机译:用混合源HVPE生长的掺Te的AlGaN覆盖层的选择性区域生长来表征AlGaN / InGaN / AlGaN异质结构
Department of Applied Sciences, Korea Maritime University, Busan 606-791, Korea;
Ⅲ-Ⅴ semiconductor-to-semiconductor contacts; p-n junctions; and heterojunctions; electroluminescence; vapor phase epitaxy; growth from vapor phase; light-emitting devices;
机译:混合源HVPE对AlGaN的生长和掺杂以及SAG-InGaN / AlGaN异质结构的电致发光
机译:混合源HVPE生长的Al含量高的AlGaN层的表征
机译:在图案化蓝宝石衬底上生长的380 nm InGaN / AlGaN LED的生长和特性
机译:选择性再生长形成脊的InGaN-MQW激光器(RiS型激光器)在AlGaN熔覆层生长过程中的成分控制
机译:高性能紫外线光电探测器和LED和光电探测器的单片集成在SI上生长的P-GAN / AlGaN / GaN异质结构上的LED和PhotoTopetector
机译:使用低Al组成的单个AlGaN层在Si衬底上生长高质量和均匀的AlGaN / GaN异质结构
机译:使用单个AlGaN层与低Al组成的高质量和均匀性AlGaN / GaN异质结构的生长