机译:通过将AlGaN势垒与GaN势垒交替来降低InGaN LED的效率下降
机译:基于GaN / IngaN的多量子阱发光二极管效率下垂的效率下垂通过不同的Si掺杂和厚度在阻挡层中
机译:在GaN势垒中插入p-InGaN层的蓝色InGaN基发光二极管的效率和下垂度的改善
机译:使用AlGaN / GaN超晶格结构减少InGaN / GaN多量子阱发光二极管的效率下降
机译:高性能紫外线光电探测器和LED和光电探测器的单片集成在SI上生长的P-GAN / AlGaN / GaN异质结构上的LED和PhotoTopetector
机译:利用主动机器学习优化GaN LED并降低效率下降
机译:InGaN多量子阱蓝色发光二极管的效率下降及其通过p掺杂量子阱势垒的降低