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机译:补偿N型硅的复合活性及其与硼氧相关的缺陷的影响
F. E. Rougieux, D. Macdonald, and A. Cuevas are with the Research School of Engineering, College of Engineering and Computer Science, The Australian National University, Canberra A.C.T. 0200, Australia (e-mail: fiacre.rougieux@anu.edu.au;
daniel.macdonald@anu.edu.au;
andres.cuevas@anu.edu.au).;
Compensated; light-induced degradation; n-type; silicon;
机译:p型和n型晶体硅中间隙铁和其他过渡金属点缺陷的复合活性
机译:补偿p型和n型硅中硼氧相关的重组中心的生成和an灭
机译:补偿N型硅再生的动力学和动力学
机译:镍沉淀物降低的复合活性:n型硅的另一个优势
机译:使用光致发光光谱法研究N型4H碳化硅和半绝缘6H碳化硅中的缺陷。
机译:使用优化的n型氧化硅正面场层提高后发射极硅太阳能电池的效率
机译:间质钢和其他过渡金属点缺陷的重组活性在P-和N型晶体硅中的缺陷
机译:n型Czochralski硅中的复合发光