声明
摘要
第一章 绪论
1.1 研究背景和意义
1.2 本文研究目的和内容
1.3 本文的结构安排及内容提要
第二章 文献综述
2.1 引言
2.2 硅中的光衰减缺陷—硼氧复合体
2.2.1 BiOi缺陷模型
2.2.2 BsO2i缺陷模型
2.2.3 BiO2i缺陷模型
2.2.4 潜在BsO2i缺陷模型
2.3 光衰减现象的抑制
2.3.1 掺碳抑制光衰减
2.3.2 掺锗抑制光衰减
2.3.3 掺锡抑制光衰减
2.4 硅中的第四族元素杂质行为
2.4.1 硅中的碳
2.4.2 硅中的锗
2.4.3 硅中的锡
2.5 评论及存在的问题
第三章 理论研究方法
3.1 从头计算方法及其三个近似处理
3.1.1 非相对论近似
3.1.2 绝热近似
3.1.3 轨道近似
3.2 密度泛函理论
3.3 LDA和GGA近似
3.4 CASTEP软件包功能介绍
3.5 本章小结
第四章 间隙硼双氧复合体的第一性原理研究
4.1 引言
4.2 计算方法
4.2.1 计算参数设置
4.2.2 计算模型
4.2.3 能级位置的计算方法
4.3 计算结果与讨论
4.3.1 间隙硼双氧复合体结构
4.3.2 间隙硼双氧复合体能级位置
4.4 本章小结
第五章 硅中第四族元素杂质与硼的相互作用
5.1 引言
5.2 计算方法
5.2.1 计算参数设置
5.2.2 计算模型
5.3 计算结果与讨论
5.3.1 硅中碳与硼的相互作用
5.3.2 硅中锗与硼的相互作用
5.3.3 硅中锡与硼的相互作用
5.4 本章小结
第六章 硅中第四族元素杂质与氧的相互作用
6.1 引言
6.2 计算方法
6.2.1 计算参数设置
6.2.2 计算模型
6.3 计算结果与讨论
6.3.1 碳与氧的相互作用
6.3.2 锗与氧的相互作用
6.3.3 锡与氧的相互作用
6.4 本章小结
第七章 总结
参考文献
致谢
个人简历
攻读硕士学位期间取得的科研成果