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机译:SOI光子插入器中的直通硅通孔(TSV)禁区(KOZ):TSV诱导的应力对Si环形谐振器的影响的研究
Inst. of Microelectron., A*STAR (Agency for Sci., Technol. & Res.), Singapore, Singapore|c|;
Silicon nanophotonics; fabrication and characterization;
机译:3-D IC中介电层的覆盖及其对TSV诱导的KOZ的局部几何效应的研究
机译:硅芯片中铜TSV诱导的KOZ的研究:模拟和实验
机译:通过直接应变和电学测量以及FEA仿真分析TSV诱导的应力对器件性能的影响
机译:确定TSV诱导的3D堆叠DRAM中的KOZ:模拟和实验
机译:绝缘体上硅(SOI)上基于环形谐振器的硅光子传感器的建模与表征
机译:石英谐振器与TSV中介层通过聚合物密封或金属结合组装
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