机译:管理嵌入式DRAM和非易失性片上高速缓存的体系结构方法的概述
Future Technologies Group, Oak Ridge National Laboratory, Oak Ridge, TN;
Magnetic tunneling; Nonvolatile memory; Phase change materials; Phase change random access memory; System-on-chip; Three-dimensional displays; Review; classification; domain wall memory (DWM); embedded DRAM (eDRAM); emerging memory technologies; non-volatile memory (NVM); phase change RAM (PCM); resistive RAM (RRAM); spin-transfer torque RAM (STT-RAM);
机译:缓存DRAM架构:具有片上缓存的DRAM
机译:适用于POWER™处理器32 MB片上三级高速缓存的45 nm SOI嵌入式DRAM宏
机译:缓存和主内存系统中数据压缩的体系结构方法概述
机译:适用于POWER7TM 32MB片上三级高速缓存的45nm SOI嵌入式DRAM宏
机译:非易失性存储器与易失性存储器的集成,用于嵌入式存储器体系结构和信号处理应用
机译:用于低延迟和低功耗3D堆叠DRAM的DRAM中缓存管理
机译:嵌入式DRam和非易失性片上缓存管理的架构方法综述