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具有DRAM高速缓存的非易失性物理存储器

摘要

混合易失性/非易失性存储器模块采用相对快速、耐用并且昂贵的动态随机存取存储器(DRAM)高速缓存来存储来自更大量相对较慢并且廉价的非易失性存储器(NVM)的数据的子集。模块控制器对DRAM高速缓存的访问权限进行优先级排序以获得提高的速度性能并且将NVM的编程周期最小化。数据首先被写入DRAM高速缓存,在DRAM高速缓存中,可以在没有NVM 110的帮助下访问(写入和读取)数据。仅当从DRAM高速缓存中逐出数据以为附加数据腾出空间时,数据被写入NVM。通过使用不被用于数据的高速缓存行位,使NVM地址与物理地址相关的映射表被分布在DRAM高速缓存中。

著录项

  • 公开/公告号CN111433749A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-07-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 拉姆伯斯公司;

    申请/专利号CN201880078333.2

  • 申请日2018-10-03

  • 分类号

  • 代理机构北京市金杜律师事务所;

  • 代理人酆迅

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2023-12-17 11:24:22

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-08-28

    实质审查的生效 IPC(主分类):G06F12/02 申请日:20181003

    实质审查的生效

  • 2020-07-17

    公开

    公开

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