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机译:基于芴酮/咔唑的双极性小分子,用于非易失性存储设备
College of Electronics and Information Engineering Shenzhen University Shenzhen 518060 PR China Institute of Microscale Optoelectronics Shenzhen University Shenzhen 518060 PR China;
Department of Chemical Engineering National Tsing Hua University Hsinchu 30013 Taiwan;
College of Electronics and Information Engineering Shenzhen University Shenzhen 518060 PR China;
Institute for Advanced Study Shenzhen University Shenzhen 518060 PR China;
Institute of Microscale Optoelectronics Shenzhen University Shenzhen 518060 PR China;
Organic materials; Small molecules; Density function theory (DFT) calculation; RRAM; Solution processable; Multi-level storage;
机译:基于氟镍的电阻存储器装置分子:通过调整结束组调整内存行为
机译:基于具有给电子咔唑侧基的丙烯酸酯聚合物的非易失性WORM存储器件
机译:基于溶液处理的2,8-二氟-5,11-双(三乙基甲硅烷基乙炔基)蒽噻吩小分子的非易失性有机存储器件
机译:ALN层对非易失性存储器应用锡薄膜型号型号的双极电阻切换行为的影响
机译:基于氮化物的局部电荷陷阱非易失性存储器件的阈值电压不稳定性。
机译:基于咔唑/苯并咪唑的双极分子磷光和热激活延迟荧光的主体高效OLED的发射器
机译:基于金纳米颗粒的非易失性存储器件的最新进展
机译:基于磁性半导体纳米结构的新型非易失性存储器件用于太比特集成