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AlGaAs系・AlGaN系テラへルツ量子カスケードレーザの進展

机译:AlGaAs / AlGaN太赫兹量子级联激光器的研究进展

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摘要

AlGaAs系,AlGaN系THz-QCLの最近の開発の進展について概説した。GaAs/AlGaAs-QCLでは160Kにおける発振を実現した。今後高A1組成QCL構造を作製すれば,動作の高温化と低閾値かが可能であると考えられる。さらに,未開拓周波数5-12THzのQCLの実現を目指しAlGaN系QCLを作製した。AlGaN系QCLからのTHz帯自然放出発光を世界初実現した。今後,GaN系QCLや高A1組成AlGaAs系QCLの実現とそれらへの新しい量子構造の導入により,QCL特性の大きな向上が期待される。
机译:综述了AlGaAs和AlGaN THz-QCL的最新进展。 GaAs / AlGaAs-QCL实现了160K的振荡。认为将来可能通过制造高Al组成QCL结构来提高工作温度并降低阈值。此外,制造AlGaN基QCL的目的是实现具有未探索的5-12 THz频率的QCL。 AlGaN QCL在世界上首次实现THz波段自发发射。将来,期望实现基于GaN的QCL和高Al组成的基于AlGaAs的QCL以及向其中引入新的量子结构将大大改善QCL特性。

著录项

  • 来源
    《Optronics》 |2013年第5期|81-88|共8页
  • 作者单位

    (独)理化学研究所 平山量子光素子研究室 主任研究員/テラ ヘルツ量子棄子研究チーム チームリーダー;

    (独)理化学研究所 平山量子光棄子研究室 研究員/テラヘル ッ量子素子研究チーム 研究員;

    (独)理化学研究所 テラへルツ量子素子研究チーム 研究員;

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