半導体量産露光用高出力EUV光源の開発状況

摘要

ここ十年の日本の半導体製造産業の退潮にも関わらず，世界の半導体需要は今も年率約4%で着実な拡大を 遂げている。半導体の微細加工技術の心臓部である縮小 投影露光装置のリソグラフイエ程は180 nm以降KrFェキ シマレーザーが,100 nm以降ではArFエキシマレーザー が量産装置として使用され，続く 65 nm以下の最先端量 産ラインではArF液浸（Immersion)リソグラフィ技術が 使用されている。また45 nmノード以降では，現在主力 の32 nm, 22 nmのNANDフラッシュメモリの量産ライ ンでは，ArF液浸リソグラフィにダブルパターンニング 技術を実現する露光装置が導入され半導体が量産されて いる。それに続く16 nmでは，かっては13.5 nmの極端 紫外光（EUV)をつかうEUVリソグラフィが本命とさ れていたが，光源出力の問題から量産技術の選択からは ずされ（2012年），現在ではArF液浸リソグラフィにマ ルチパターニングを組み合わせた導入が始まっている。2016年現在，リソグラフィ用エキシマレーザーの市場規 模は，800億円/年を超え着実に成長を遂げている。