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机译:In-偏析对GaInNAs / GaAs量子阱中1.3和1.55微米发射子带的影响
Centre for optoelectronics, Department of Electrical and computer engineering, National University of Singapore, Singapore 117576;
GaInNAs; quantum wells; segregation;
机译:分子束外延生长1.3-1.55μmGaInNAs(Sb)/ GaAs量子阱的优化
机译:分子束外延生长在1.3-1.55范围内的GaInNAs(Sb)/ GaAs量子阱的优化
机译:GaAsSbN / GaAs量子阱对1.3-1.55μm发射的研究
机译:在{sub}×{sub} {sub} {sub} {sub} {sub}(1-y')/ gaas量子阱中的{sub}(1-x')中子带中的副频带效果1.3和1.55μm操作波长
机译:GaAs衬底上用于1.3微米电吸收调制器的InGaAs / InAlAs量子阱。
机译:1.3-1.55μm窗口中变质InAs / InGaAs量子点的带间光电导
机译:基于GaAs的量子阱和量子点发光二极管以及用于1.3和1.55 um发射的激光器
机译:用于波分复用高速分布式计算的InGaasp / Inp基1.3 / 1.55微米垂直腔面发射激光器。阶段1。