机译:通过使用混合量子阱/量子点结构的具有290nm发射带宽的基于GaAs的超发光发光二极管
机译:1.3和1.5μm发光二极管基于GaAs的InAs / InGaAs和InAs /(Ga,In)(N,As)自组装量子点的比较研究
机译:1.3和1.5μm发光二极管GaAs基InAs / InaAs和Inas /(Ga,As)自组装量子点的比较研究
机译:延伸波长的量子点有源区(1.0 um至1.3μm)基于GaAs的异质结构激光器和垂直腔表面发射激光器
机译:基于砷化镓的量子点垂直腔面发射激光器和微腔发光二极管。
机译:通过使用混合量子阱/量子点结构的具有290nm发射带宽的基于GaAs的超发光发光二极管
机译:基于GaAs的量子阱和量子点发光二极管以及用于1.3和1.55 um发射的激光器