机译:紫外线固化对碳氧化硅膜的影响
Department of Sourcing Engineering, National Cheng Kung University, Tainan, Taiwan;
Department of Sourcing Engineering, National Cheng Kung University, Tainan, Taiwan;
Department of Sourcing Engineering, National Cheng Kung University, Tainan, Taiwan;
Department of Materials Science and Engineering, National Cheng Kung University, Tainan, Taiwan;
Departement of Electrical Engineering, Cheng Shui University, Kaohsiung, Taiwan;
Silicon oxycarbide; UV curing; Dielectric constant; Leakage current;
机译:成分和热退火对碳氧化硅膜力学性能的影响
机译:通过远程氢微波等离子体CVD形成的碳化硅,碳氮化硅和氧化硅氧化硅薄膜
机译:UV固化改性的高应力氮化硅膜的局部键合结构,适用于超过45 nm Node SoC器件的应变硅技术
机译:紫外线固化涂料膜中的氟硅氧烷。
机译:通过四氢化硅-二氧化碳-乙烯混合物的氧碳化来化学气相沉积碳氧化硅薄膜。
机译:氮掺杂对非晶碳氧化硅薄膜光致发光的影响
机译:含硅接枝共聚物薄膜的蜂窝状微结构碳氧化硅片
机译:紫外光固化DNa薄膜的结构研究。