有効場の理論を用いた格子計算による低密度中性子物質の性質の解明

摘要

本稿では、格子上での有効場の理論を用いた第一原理計算による中性子物質の研究について紹介する。特に、~1 S_0 波の成分が支配的な低密度領お割こ限定して議論する。理論的枠組みとしては、π中間子を含まない格子上におけるハミルトニアン形式での有効場の理論で摂動の2次の項までを用いた。摂動の最低次と2次の項の結合定数は、それぞれ位相差解析における有効距離展開での ~1 S_o 波散乱長と有効距離から、有効場の理論でのパワーカウンティング則を格子上で満たすように決められる。